阙端麟

l947年毕业于我校前身福州英华高中，1951年毕业于厦门大学数理系，留校任教。1953年起长期在浙江大学工作，历任浙江大学副校长，校务委员会副主任，材料科学与工程学系教授、半导体材料博士生导师、半导体研究所所长、高纯硅及硅烷国家重点实验室学术带头人，并任国务院学位委员会材料学科组负责人、中国电子学会电子材料学专业委员会副主任、浙江省科协主席，第六届全国政协委员、第七届全国人大代表，九三学社中央委员及浙江省委主任委员。被评为国家级有突出贡献的专家、全国五一劳动奖章获得者，浙江省劳动模范。l991年当选为中国科学院学部委员(院士)。

50年代以来开始提纯硅烷及制备高纯硅的研究，1964年在国内首先采用硅烷法制成纯硅，随后扩大组成课题组，完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术研究，成为我国生产高纯硅烷的主要方法。首先为国内提供了电子工业急需的纯硅烷气体，负责并领导了极高阻硅单晶的研制，成功地研制出探测器级硅单晶达到国际先进水平。在硅单晶电学测试方面，提出创新的双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号；发展了单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论，使硅单晶工业产品寿命测试仪器国产化。

80年代初打破国际传统思想束缚，首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术，获7项中国发明专利。其科研成果获国家发明奖二等奖l次、三等奖2次，获省部级科技二等奖以上奖励11次，发表重要论文50多篇。