我校领导及附中校友总会会长近日致阙端麟院士亲属慰问信，
对阙端麟院士不幸病逝，表示深切慰问 日前惊悉尊敬的阙端麟院士不幸病逝，我校领导及附中校友会均深感悲痛。我校林瑜校长、李绚书记及附中校友总会会长朱旭专此致信阙端麟院士的亲属，表达我校领导和师生们及广大校友深切的慰问。
阙端麟院士是我国著名的科学家，也是我校1947届杰出的校友。他是我国较早开始半导体材料教学与科学研究的学者之一，他对硅单晶技术的突破性的研制成果，以及在科学技术方面的广泛应用，对我国在有关方面的科研与生产起了很大推动作用。
阙端麟院士对母校的发展建设始终非常关心。他虽然长期以来抱病在身，仍于2006年6月在他的夫人的陪同下回母校参访指导，对母校的发展寄于厚望。 他的去世，是我国科学技术界的重大损失，也是我校的重大损失。对于他的病逝，我们都深感痛心。我们大家都要化悲痛为力量，继承阙端麟院士的遗志，为国家现代化建设努力奋斗！ 附：阙端麟院士介绍  阙端麟（1928－2014.12），福州市人。半导体材料专家，1991年当选中国科学院院士。1947届英华校友。1951年毕业于厦门大学数理系。1953年起长期在浙江大学工作，历任浙江大学副校长，校务委员会副主任，浙江大学教授。我国较早开始半导体材料教学与科学研究的 学者之一。50年代以来开始提纯硅烷及制备高纯硅的研究，1964年在国内首先采用硅烷法制成纯硅，随后，完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术研究，成为我国生产高纯硅烷的主要方法。负责并领导了极高阻硅单晶的研制，并成功地并成功地研制研制出探测器级硅单晶。首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶，开辟了微氮直拉硅单晶基础研究工作。试制成我国第一台温差发电机，在硅烷提纯和高纯多晶硅制备等方面取得突破，所负责的探测器级特高阻硅单晶的“六五”攻关研究项目取得圆满成功，发展了硅单晶单色红外光电导衰减少子寿命测试技术，发明了减压充氮直拉硅单晶生长技术。研究的多项成果都应用于生产实际，取得突出成绩。在硅单晶电学测试方面，提出创新的双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号；发展了单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论，使硅单晶工业产品寿命测试仪器国产化。80年代初打破国际传统思想束缚，首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术，获7项中国发明专利。其科研成果获国家发明奖二等奖1次、三等奖2次，获省部级科技二等奖以上奖励1 1次，发表重要论文50多篇。阙端麟曾任浙江省自然科学基金委员会副主任、浙江省学位委员会副主任、浙江省人民政府经济建设咨询委员会委员、中国电子学会电子材料学会专业学会第二届副主任委员、浙江省电子学会第三届副理事长、国务院第二届、第三届学位委员会非金属材料学科评议组成员、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组成员、九三学社中央常委、浙江省委主任委员，浙江省政协副主席。第六届全国政协委员。 | 
