2025年11月24日，厦门大学颂恩楼会议室举行“师者仁心 ‘芯’火相传——萨支唐先生追思会”，深切缅怀国际著名物理学家、微电子学家，我校杰出校友萨支唐院士。追思会由厦门大学物理科学与技术学院党委书记李书平主持，厦门大学党委书记、中国科学院院士张荣介绍萨支唐院士生平和成就。我校校长罗银先、校友会负责人林惠生参与追思活动，共同回顾其光辉历程与学术贡献。
追思会上，罗银先校长作为萨院士中学母校代表发言。他介绍，萨支唐院士于1945年至1949年在我校前身英华中学（第66届励须级）求学，在校期间刻苦严谨、成绩优异，是附中院士校友的杰出代表。罗校长强调，萨院士的科学精神已深深融入附中育人传统，其雕像与事迹永久陈列于学校院士广场和校史馆，成为每年新生入学教育和主题班会的重要素材。
我校素有崇尚科学、精研物理的优良传统。1988年，校友陈岩松同学为中国夺得首枚国际中学生物理奥赛金牌；今年，我校成功承办第42届全国中学生物理竞赛决赛并取得全省最佳成绩。这些成就正是对萨支唐院士科学精神的当代践行。我校将持续以院士校友为楷模，深化科学教育与创新人才培养，让“芯”火永传，为培育新时代拔尖人才贡献力量。
附：萨支唐院士介绍
萨支唐（1932－2025）出生于中国北京。美国微电子学家。1986当选美国国家工程院院士、1998当选台湾中央研究院院士。2000年当选中国科学院外籍院士。1949届英华校友。1949年赴美国接受大学教育，50年代初毕业于美国伊利诺大学，1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。1959—1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理，1964—1988年任美国伊利诺大学电机、物理两系教授。1988年至今，担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家。长期致力于半导体器件和微电子学研究，对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究作出了里程碑性质的贡献。曾获半导体工业协会（SIA）最高奖（1998）等多项奖励。他提出了半导体P—n结中电子－空穴复合理论。开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管，并提出MOS晶体管理论模型。发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱(DLTS)方法。发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用。近期致力于亚微米MOS晶体管的可靠性研究。萨